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NTMFS4122N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3000
5
20
2500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
V DS
QT
16
2000
3
Q GS
Q GD
V GS
12
1500
1000
2
8
C rss
C oss
500
0
0 5 10
15 20
25
25
1
0
0
5
10 15
I D = 12 A
T J = 25 ° C
20
4
0
25
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
6
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
t f
t d(on)
2
t r
10
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
100
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
dc
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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